2-30 Revision 11 2.5 V LVCMOS Low-Voltage CMOS for 2.5 V is an extension of the LVCMOS stand" />
參數(shù)資料
型號： A3PN250-2VQG100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 54/114頁
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描述： IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-30
Revision 11
2.5 V LVCMOS
Low-Voltage CMOS for 2.5 V is an extension of the LVCMOS standard (JESD8-5) used for general-
purpose 2.5 V applications.
Table 2-38 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
2.5 V LVCMOS
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH
IOSL
IOSH
IIL1 IIH2
Drive Strength
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
Max.
mA3
Max.
mA3
A4 A4
2 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
2
16
18
10
4 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
4
16
18
10
6 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
6
32
37
10
8 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
8
32
37
10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operation conditions where –0.3 V < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions VIH < VIN < VCCI. Input current is
larger when operating outside recommended ranges.
3. Currents are measured at high temperature (100°C junction temperature) and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
5. Software default selection highlighted in gray.
Figure 2-7 AC Loading
Table 2-39 2.5 V LVCMOS AC Waveforms, Measuring Points, and Capacitive Loads
Input LOW (V)
Input HIGH (V)
Measuring Point* (V)
CLOAD (pF)
02.5
1.2
10
Notes:
1. Measuring point = Vtrip. See Table 2-16 on page 2-17 for a complete table of trip points.
2. Capacitive Load for A3PN060, A3PN125, and A3PN250 is 35 pF.
Test Point
Enable Path
Datapath
35 pF
R = 1 k
R to VCCI for tLZ / tZL / tZLS
R to GND for tHZ / tZH / tZHS
35 pF for tZH / tZHS / tZL / tZLS
35 pF for tHZ / tLZ
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