Revision 11 2-17 Summary of I/O Timing Characteristics – Default I/O Software Settings Table 2-16 Summary" />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN250-Z1VQG100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 40/114頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-17
Summary of I/O Timing Characteristics – Default I/O Software Settings
Table 2-16 Summary of AC Measuring Points
Standard
Measuring Trip Point (Vtrip)
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
1.4 V
3.3 V LVCMOS Wide Range
1.4 V
2.5 V LVCMOS
1.2 V
1.8 V LVCMOS
0.90 V
1.5 V LVCMOS
0.75 V
Table 2-17 I/O AC Parameter Definitions
Parameter
Parameter Definition
tDP
Data to Pad delay through the Output Buffer
tPY
Pad to Data delay through the Input Buffer
tDOUT
Data to Output Buffer delay through the I/O interface
tEOUT
Enable to Output Buffer Tristate Control delay through the I/O interface
tDIN
Input Buffer to Data delay through the I/O interface
tHZ
Enable to Pad delay through the Output Buffer—HIGH to Z
tZH
Enable to Pad delay through the Output Buffer—Z to HIGH
tLZ
Enable to Pad delay through the Output Buffer—LOW to Z
tZL
Enable to Pad delay through the Output Buffer—Z to LOW
tZHS
Enable to Pad delay through the Output Buffer with delayed enable—Z to HIGH
tZLS
Enable to Pad delay through the Output Buffer with delayed enable—Z to LOW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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