參數(shù)資料
型號(hào)： ACT108-600E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： AC Thyristor power switch
中文描述： 600 V, 0.8 A, TRIAC, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 277K
代理商： ACT108-600E
ACT108-600E
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 13 July 2010
6 of 13
NXP Semiconductors
ACT108-600E
AC Thyristor power switch
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
I
GT
Characteristics
Parameter
gate trigger current
Conditions
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; LD+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 6
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; LD- G-;
T
j
= 25 °C
V
D
= 12 V; I
G
= 12 mA; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 8
I
T
= 1.1 A; see
Figure 9
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; T
j
≤
125 °C
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; T
j
= 25 °C
V
D
= 600 V; T
j
≤
125 °C
V
D
= 600 V; T
j
≤
25 °C
V
DM
= 402 V; T
j
= 125 °C; gate open
circuit; see
Figure 10
V
D
= 400 V; T
j
= 125 °C; I
T(RMS)
= 1 A;
dV
com
/dt = 15 V/μs; gate open circuit;
see
Figure 11
; see
Figure 12
I
CL
= 100 μA; t
p
= 1 ms; T
j
≤
125 °C;
see
Figure 13
Min
1
Typ
-
Max
10
Unit
mA
1
-
10
mA
I
L
latching current
-
-
30
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
0.15
-
-
-
1000
9
-
-
-
-
-
-
25
1.3
-
1
0.2
2
-
mA
V
V
V
mA
μA
V/μs
I
D
off-state current
dV
D
/dt
rate of rise of off-state
voltage
rate of change of
commutating current
dI
com
/dt
0.3
-
-
A/ms
V
CL
clamping voltage
650
-
-
V
(1) LD+ G-
(2) LD- G-
Fig 6.
Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
Fig 7.
Normalized latching current as a function of
junction temperature
I
GT
I
GT(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
0
150
100
50
1
2
3
0
003aac809
(1)
(2)
(1)
(2)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
003aac811
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ACT108W-600D AC Thyristor power switch
ACTT2S-800E AC Thyristor Triac power switch
ACTT2X-800E AC Thyristor Triac power switch
ACTT6-800E AC Thyristor Triac power switch
ACTT6B-800E AC Thyristor Triac power switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ACT108-600E,126 功能描述:雙向可控硅 TVS THYRISTOR 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
ACT108-600E,412 功能描述:雙向可控硅 IC AC THYRIST PWR SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
ACT108-600E126 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
ACT108-600EQP 功能描述:ACT108-600E/TO-92/STANDARD MAR 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 斷態(tài):600V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:800mA 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:13A，14.3A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
ACT108-800EEP 功能描述:TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 三端雙向可控硅類型:邏輯 - 靈敏柵極 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:800mA 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:13A，14.3A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:10mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:單一 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*