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參數資料
| 型號： | AD5115BCPZ80-500R7 |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數： | 22/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 32POS 80K 8LFCSP |
| 標準包裝： | 1 |
| 接片： | 32 |
| 電阻（歐姆）： | 80k |
| 電路數： | 1 |
| 溫度系數： | 標準值 35 ppm/°C |
| 存儲器類型： | 非易失 |
| 接口： | 3 線串行（芯片選擇，增/減） |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-UFDFN 裸露焊盤，CSP |
| 供應商設備封裝： | 8-LFCSP-UD（2x2） |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | AD5115BCPZ80-500R7DKR |
Data Sheet
AD5111/AD5113/AD5115
Rev. A | Page 7 of 24
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—AD5115
10 kΩ and 80 kΩ versions: VDD = 2.3 V to 5.5 V, VA = VDD, VB = 0 V, 40°C < TA < +125°C, unless otherwise noted.
Table 4.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
Min
Max
Unit
DC CHARACTERISTICS—RHEOSTAT MODE
Resolution
N
5
Bits
Resistor Integral Nonlinearity2
R-INL
0.5
+0.5
LSB
Resistor Differential Nonlinearity2
R-DNL
0.25
+0.25
LSB
Nominal Resistor Tolerance
ΔRAB/RAB
8
+8
%
Resistance Temperature Coefficient3
(ΔRAB/RAB)/ΔT × 106
35
ppm/°C
Wiper Resistance
RW
Code = zero scale
70
140
Ω
RBS
Code = bottom scale
45
80
Ω
RTS
Code = top scale
70
140
Ω
DC CHARACTERISTICS—POTENTIOMETER
DIVIDER MODE
Integral Nonlinearity4
INL
0.25
+0.25
LSB
Differential Nonlinearity4
DNL
0.25
+0.25
LSB
Full-Scale Error
VWFSE
RAB = 10 kΩ
1
LSB
RAB = 80 kΩ
0.5
LSB
Zero-Scale Error
VWZSE
RAB = 10 kΩ
1
LSB
RAB = 80 kΩ
0.25
LSB
Voltage Divider Temperature Coefficient3
(ΔVW/VW)/ΔT × 106
Code = half scale
±10
ppm/°C
RESISTOR TERMINALS
RAB = 10 kΩ
6
+6
mA
RAB = 80 kΩ
1.5
+1.5
mA
Terminal Voltage Range5
GND
VDD
V
Capacitance A, Capacitance B3, 6
CA, CB
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half scale
20
pF
Capacitance W3, 6
CW
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half scale
35
pF
Common-Mode Leakage Current3
VA = VW = VB
500
±15
+500
nA
DIGITAL INPUTS
Input Logic3
High
VINH
2
V
Low
VINL
0.8
V
Input Current3
IN
±1
μA
Input Capacitance3
CIN
5
pF
POWER SUPPLIES
Single-Supply Power Range
2.3
5.5
V
Positive Supply Current
IDD
VIH = VDD or VIL = GND, VDD = 5 V
0.75
3.5
mA
VIH = VDD or VIL = GND, VDD = 2.7 V
2.5
mA
VIH = VDD or VIL = GND, VDD = 2.3 V
2.4
mA
EEMEM Store Current3, 7
IDD_NVM_STORE
2
mA
EEMEM Read Current3, 8
IDD_NVM_READ
320
μA
Power Dissipation9
PDISS
VIH = VDD or VIL = GND
5
μW
Power Supply Rejection3
PSR
VDD/VSS = 5 V ± 10%
RAB = 10 kΩ
50
dB
RAB = 80 kΩ
64
dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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