VDD = 2." />
參數(shù)資料
型號(hào)： AD5271BCPZ-20-RL7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁(yè)數(shù)： 22/24頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC RHEOSTAT 5V 50-TP 256 10MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
接片： 256
電阻（歐姆）： 20k
電路數(shù)： 1
溫度系數(shù)： 標(biāo)準(zhǔn)值 5 ppm/°C
存儲(chǔ)器類型： 非易失
接口： 4 線串行
電源電壓： 2.7 V ~ 5.5 V，±2.5 V ~ 2.75 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 10-MSOP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： AD5271BCPZ-20-RL7DKR
Data Sheet
AD5270/AD5271
Rev. F | Page 7 of 24
INTERFACE TIMING SPECIFICATIONS
VDD = 2.5 V to 5.5 V, VSS = 0 V; VDD = 2.5 V, VSS = 2.5 V; all specifications TMIN to TMAX, unless otherwise noted.
Table 7.
Parameter
Unit
Test Conditions/Comments
20
ns min
SCLK cycle time
t2
10
ns min
SCLK high time
t3
10
ns min
SCLK low time
t4
15
ns min
SYNC to SCLK falling edge setup time
t5
5
ns min
Data setup time
t6
5
ns min
Data hold time
t7
1
ns min
SCLK falling edge to SYNC rising edge
500
ns min
Minimum SYNC high time
t9
15
ns min
SYNC rising edge to next SCLK fall ignored
450
ns max
SCLK rising edge to SDO valid
tRDAC_R-PERF
2
μs max
RDAC register write command execute time
tRDAC_NORMAL
600
ns max
RDAC register write command execute time
tMEMORY_READ
6
μs max
Memory readback execute time
tMEMORY_PROGRAM
350
ms max
Memory program time
tRESET
0.6
ms max
Reset 50-TP restore time
tPOWER-UP6
2
ms max
Power-on 50-TP restore time
1 All input signals are specified with tr = tf = 1 ns/V (10% to 90% of VDD) and timed from a voltage level of (VIL + VIH)/2.
2 Maximum SCLK frequency is 50 MHz.
3 Refer to tRDAC_R-PER and tRDAC_NORMAL for RDAC register write operations.
4 Refer to t
MEMORY_READ
and tMEMORY_PROGRAM for memory commands operations.
5 RPULL_UP = 2.2 kΩ to VDD with a capacitance load of 168 pF.
6 Maximum time after VDD VSS is equal to 2.5 V.
Shift Register and Timing Diagrams
DATA BITS
DB9 (MSB)
DB0 (LSB)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
CONTROL BITS
C0
C1
C2
D9
D8
C3
0
08
07
7-
0
2
Figure 2. Shift Register Content
0
C3
C2
D7
D6
D5
D2
D1
D0
SCLK
SDO
DIN
SYNC
t7
t9
t1
t2
t4
t3
t8
t5
t6
0
807
7-
00
3
Figure 3. Write Timing Diagram (CPOL = 0, CPHA = 1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1251WP-120+C01 IC NVSRAM 34PWRCP
AD5259BCPZ50-R7 IC POT DGTL 50K 256POS 10LFCSP
DS32C35-33IND# IC RTC W/TCXO 20-SOIC
DS32C35-33# IC RTC W/TCXO 20-SOIC
AD5259BCPZ10-R7 IC POT DGTL 10K 256POS 10LFCSP
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參數(shù)描述
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AD5271BRMZ-100-RL7 功能描述:DIGITAL POT 256POS 100K SINGLE RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:DPP 接片:32 電阻（歐姆）:10k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標(biāo)準(zhǔn)值 300 ppm/°C 存儲(chǔ)器類型:非易失 接口:3 線串行（芯片選擇，遞增，增/減） 電源電壓:2.5 V ~ 6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TDFN（2x3） 包裝:帶卷 (TR)
AD5271BRMZ-20 功能描述:IC DGTL POT 20K 256POS 10MSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 接片:256 電阻（歐姆）:100k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標(biāo)準(zhǔn)值 35 ppm/°C 存儲(chǔ)器類型:非易失 接口:3 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TDFN-EP（3x3） 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1399 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MAX5423ETA+TCT
AD5271BRMZ-20 制造商:Analog Devices 功能描述:Digital Potentiometer IC
AD5271BRMZ-20-RL7 功能描述:IC DGTL POT SGL 256POS 10MSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:DPP 接片:32 電阻（歐姆）:10k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標(biāo)準(zhǔn)值 300 ppm/°C 存儲(chǔ)器類型:非易失 接口:3 線串行（芯片選擇，遞增，增/減） 電源電壓:2.5 V ~ 6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TDFN（2x3） 包裝:帶卷 (TR)
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