參數(shù)資料
型號： AD5290YRMZ10-R7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 12/20頁
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描述： IC POT DGTL 10KW 256POS 10-MSOP
標準包裝： 1,000
接片： 256
電阻（歐姆）： 10k
電路數(shù)： 1
溫度系數(shù)： 標準值 35 ppm/°C
存儲器類型： 易失
接口： 4 線 SPI（芯片選擇）
電源電壓： 4.5 V ~ 30 V，±4.5 V ~ 15 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應商設備封裝： 10-MSOP
包裝： 帶卷 (TR)
配用： EVAL-AD5290EBZ-ND - BOARD EVAL FOR AD5290
AD5290
Data Sheet
Rev. C | Page 2 of 20
TABLE OF CONTENTS
REVISION HISTORY
11/11—Rev. B to Rev. C
Change to Figure 33 ....................................................................... 18
4/10—Rev. A to Rev. B
Changes to Figure 29...................................................................... 16
Updated Outline Dimensions ....................................................... 20
7/09—Rev. 0 to Rev. A
Changes to Features Section ............................................................1
Changes to Ordering Guide.......................................................... 20
12/05—Revision 0: Initial Version
相關PDF資料
PDF描述
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AD5290YRMZ100-R7 IC POT DGTL 100KW 256POS 10-MSOP
DS1100Z-50/T&R IC DELAY LINE 5TAP 50NS 8-SOIC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AD5290YRMZ10-RL7 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Compact +30V/【15V 256-Position Digital Potentiometer
AD5290YRMZ50 功能描述:IC DGTL POT 50K 256POS 10MSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:DPP 接片:32 電阻（歐姆）:10k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標準值 300 ppm/°C 存儲器類型:非易失 接口:3 線串行（芯片選擇，遞增，增/減） 電源電壓:2.5 V ~ 6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-TDFN（2x3） 包裝:帶卷 (TR)
AD5290YRMZ50-R7 功能描述:IC POT DGTL 50KW 256POS 10-MSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:DPP 接片:32 電阻（歐姆）:10k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標準值 300 ppm/°C 存儲器類型:非易失 接口:3 線串行（芯片選擇，遞增，增/減） 電源電壓:2.5 V ~ 6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-TDFN（2x3） 包裝:帶卷 (TR)
AD5290YRMZ50-RL7 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Compact +30V/【15V 256-Position Digital Potentiometer
AD5291 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:256-/1024-Position, DigiPOT+ Potentiometers with Maximum ±1% R-Tolerance Error and 20-TP Memory
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