To minimize gain errors introduced b" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AD8221BRZ-RL
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 15/24頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP INST PREC LN 18MA 8SOIC
設(shè)計(jì)資源： Low Cost, High Voltage, Programmable Gain Instrumentation Amplifier Using AD5292 and AD8221 (CN0114)
Low Cost Programmable Gain Instrumentation Amplifier Circuit Using ADG1611 and AD620 (CN0146)
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 2 V/µs
-3db帶寬： 825kHz
電流 - 輸入偏壓： 200pA
電壓 - 輸入偏移： 25µV
電流 - 電源： 900µA
電流 - 輸出 / 通道： 18mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4.6 V ~ 36 V，±2.3 V ~ 18 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SO
包裝： 帶卷 (TR)
AD8221
Rev. C | Page 22 of 24
DIE INFORMATION
Die size: 1575 μm × 2230 μm
Die thickness: 381 μm
To minimize gain errors introduced by the bond wires, use Kelvin connections between the chip and the gain resistor, RG, by connecting
Pad 2A and Pad 2B in parallel to one end of RG and Pad 3A and Pad 3B in parallel to the other end of RG. For unity gain applications
where RG is not required, Pad 2A and Pad 2B must be bonded together as well as the Pad 3A and Pad 3B.
03
14
9-
1
04
1
2A
2B
3A
3B
4
5
6
8
7
LOGO
Figure 53. Bond Pad Diagram
Table 7. Bond Pad Information
Pad No.
Mnemonic
Pad Coordinates1
X (μm)
Y (μm)
1
IN
–379
+951
2A
RG
–446
+826
2B
RG
–615
+474
3A
RG
–619
+211
3B
RG
–490
–190
4
+IN
–621
–622
5
VS
+635
–823
6
REF
+649
–339
7
VOUT
+612
+84
8
+VS
+636
+570
1 The pad coordinates indicate the center of each pad, referenced to the center of the die. The die orientation is indicated by the logo, as shown in Figure 53.
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