參數(shù)資料
型號(hào)： AD845JNZ
廠商： Analog Devices Inc
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP JFET 16MHZ PREC 8DIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 50
放大器類型： J-FET
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 100 V/µs
增益帶寬積： 16MHz
電流 - 輸入偏壓： 750pA
電壓 - 輸入偏移： 700µV
電流 - 電源： 10mA
電流 - 輸出 / 通道： 50mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±4.75 V ~ 18 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 8-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-PDIP
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 766 (CN2011-ZH PDF)
AD845
REV. E
–3–
ORDERING GUIDE
Temperature
Package
Model
Range
Description
Option
1
AD845JN
0
∞C to 70∞C
8-Lead PDIP
N-8
AD845KN
0
∞C to 70∞C
8-Lead PDIP
N-8
AD845JR-16
0
∞C to 70∞C
16-Lead SOIC
R-16
AD845JR-16-REEL
0
∞C to 70∞CTape and Reel
R-16
AD845JR-16-REEL7
0
∞C to 70∞CTape and Reel
R-16
AD845AQ
–40
∞C to +85∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845BQ
–40
∞C to +85∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845SQ
–55
∞C to +125∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845SQ/883B
–55
∞C to +125∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
5962-8964501PA
2
–55
∞C to +125∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845JCHIPS
0
∞C to 70∞CDie
NOTES
1N = Plastic DIP; Q = CERDIP; R = Small Outline IC (SOIC).
2See military data sheet.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±18 V
Internal Power Dissipation
2
Plastic Mini-DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.6 W
CERDIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.4 W
16-Lead SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.5 W
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +VS
Output Short-Circuit Duration . . . . . . . . . . . . . . . . Indefinite
Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . +VS and –VS
Storage Temperature Range
Q . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–65
∞C to +150∞C
N, R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–65
∞C to +125∞C
Lead Temperature Range (Soldering 60 sec) . . . . . . . . . 300
∞C
NOTES
1Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. This is a stress rating only, and functional operation of
the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
2Mini-DIP package:
qJA = 100∞C/W; CERDIP package: qJA = 110∞C/W; SOIC
package:
qJA = 100∞C/W.
METALIZATION PHOTOGRAPH
Dimensions shown in inches and (mm).
Contact factory for latest dimensions.
SUBSTRATE CONNECTED TO +V
S
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