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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ADG5413BRUZ |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 9/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 96 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 4 x SPST - NC/NO |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 12 歐姆 |
| 電壓電源： | 單/雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 9 V ~ 40 V，±9 V ~ ±22 V |
| 電流 - 電源： | 80µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-TSSOP |
| 包裝： | 管件 |
ADG5412/ADG5413
Rev. A | Page 17 of 20
TRENCH ISOLATION
In the ADG5412 and ADG5413, an insulating oxide layer
(trench) is placed between the NMOS and the PMOS transistors
of each CMOS switch. Parasitic junctions, which occur between
the transistors in junction isolated switches, are eliminated, and
the result is a completely latch-up proof switch.
In junction isolation, the N and P wells of the PMOS and NMOS
transistors form a diode that is reverse-biased under normal
operation. However, during overvoltage conditions, this diode
can become forward-biased. A silicon controlled rectifier (SCR)
type circuit is formed by the two transistors causing a significant
amplification of the current that, in turn, leads to latch-up. With
trench isolation, this diode is removed, and the result is a latch-
up proof switch.
09
20
2-
0
22
NMOS
PMOS
P-WELL
N-WELL
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
TRENCH
Figure 33. Trench Isolation
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| ADG5413FBRUZ | 功能描述:4 Circuit IC Switch 1:1 11.5 Ohm 16-TSSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 開關(guān)電路:SPST - 常開/常閉 多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:1:1 電路數(shù):4 導(dǎo)通電阻（最大值）:11.5 歐姆 通道至通道匹配（ΔRon）:50 毫歐 電壓 -?電源，單（V+）:8 V ~ 44 V 電壓 - 電源，雙（V±）:±5 V ~ 22 V 開關(guān)時(shí)間（Ton, Tof）（最大值）:500ns，515ns -3db 帶寬:270MHz 電荷注入:-640pC 溝道電容 （CS(off），CD（off））:12pF，11pF 電流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串?dāng)_:-70dB @ 1MHz 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 |
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