參數(shù)資料
型號(hào)： ADG752
廠商： Analog Devices, Inc.
英文描述： CMOS, Low Voltage RF/Video, SPDT Switch
中文描述： 的CMOS低電壓射頻/視頻，單刀雙擲開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 131K
代理商： ADG752
REV. 0
–2–
ADG752–SPECIFICATIONS
(V
DD
= +5 V
6
10%, GND = 0 V, unless otherwise noted.)
B Version
–40
8
C
to +85
8
C
Parameter
+25
8
C
Units
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
On-Resistance (R
ON
)
0 V to V
DD
V
typ
max
typ
max
typ
max
15
18
0.1
0.6
2
V
S
= 0 V to V
DD
, I
DS
= 10 mA;
Test Circuit 1
V
S
= 0 V to V
DD
, I
DS
= 10 mA
20
On-Resistance Match Between
Channels (
R
ON
)
On-Resistance Flatness (R
FLAT(ON)
)
0.6
V
S
= 0 V to 2.5 V, I
DS
= 10 mA
V
DD
= + 4.5 V
3
LEAKAGE CURRENTS
Source OFF Leakage I
S
(OFF)
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
nA typ
nA max
nA typ
nA max
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
Test Circuit 2
V
D
= V
S
= 1 V, or 4.5 V;
Test Circuit 3
±
3.0
Channel ON Leakage I
D
, I
S
(ON)
±
3.0
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, V
INH
Input Low Voltage, V
INL
Input Current
I
INL
or I
INH
2.4
0.8
V min
V max
0.001
μ
A typ
μ
A max
pF typ
V
IN
= V
INL
or V
INH
±
0.5
C
IN
, Digital Input Capacitance
DYNAMIC CHARACTERISTICS
1
t
ON
2
8
ns typ
ns max
ns typ
ns max
ns typ
ns min
dB typ
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= 3 V, Test Circuit 4
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= 3 V, Test Circuit 4
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= 3 V, Test Circuit 5
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, f = 30 MHz;
Test Circuit 6
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, f = 30 MHz;
Test Circuit 7
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, Test Circuit 8
13
t
OFF
3
5
Break-Before-Make Time Delay
6
1
Off Isolation
–80
Crosstalk
–80
dB typ
–3 dB Bandwidth
C
S
(OFF)
C
D
, C
S
(ON)
POWER REQUIREMENTS
I
DD
250
4
15
MHz typ
pF typ
pF typ
V
DD
= +5.5 V
Digital Inputs = 0 V or +5.5 V
0.001
0.1
μ
A typ
μ
A max
0.5
NOTES
1
Guaranteed by design, not subject to production test.
Specifications subject to change without notice.
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PDF描述
ADG752BRM CMOS, Low Voltage RF/Video, SPDT Switch
ADG752BRT CMOS, Low Voltage RF/Video, SPDT Switch
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