V
參數(shù)資料
型號： ADG859YRYZ-REEL7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 14/16頁
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描述： IC SWITCH SPDT SOT66
標準包裝： 1
功能： 開關(guān)
電路： 1 x SPDT - NC/NO
導通狀態(tài)電阻： 2.1 歐姆
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 1nA
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SOT-66
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-66
包裝： 標準包裝
其它名稱： ADG859YRYZ-REEL7DKR
ADG859
Rev. A | Page 7 of 16
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
R
ON
(
)
01
2
3
4
5
VS/VD (V)
05
25
8-
01
2
VDD =4.5V
VDD =5V
VDD =5.5V
TA = 25°C
IDS = 100mA
Figure 3. On Resistance vs. VS (VD), VDD = 5 V ± 10%
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
ON
(
)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VS/VD (V)
05
258
-02
4
VDD =2.7V
VDD =3V
VDD =3.3V
VDD =3.6V
TA =25°C
IDS = 100mA
Figure 4. On Resistance vs. VS (VD), VDD = 2.7 V to 3.6 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
O
N
RE
S
IS
T
ANCE
(
)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
SOURCE VOLTAGE (V)
05
25
8-
0
14
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
VDD =5V
IDS = 100mA
Figure 5. On Resistance vs. Source Voltage for
Different Temperatures, VDD = 5 V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
O
N
RE
S
IS
T
ANCE
(
)
1.0
1.5
0
0.5
2.0
2.5
3.0
SOURCE VOLTAGE (V)
05
25
8-
0
13
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
VDD =3V
IDS = 100mA
Figure 6. On Resistance vs. Source Voltage for
Different Temperatures, VDD = 3 V
–1
0
1
2
3
4
LE
AKAGE
(nA)
40
20
–20
0
–40
60
80
100
120
TEMPERATURE (
°C)
05258-016
5
IS (OFF)
ID, IS (ON)
VDD = 5V
Figure 7. Leakage vs. Temperature, VDD = 5 V
–0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
LE
AKAGE
(nA)
40
20
–20
0
–40
60
80
100
120
TEMPERATURE (
°C)
05258-015
ID, IS (ON)
IS (OFF)
VDD = 3V
Figure 8. Leakage vs. Temperature, VDD = 3 V
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