參數(shù)資料
型號： AFP02N3-213
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 32K
代理商： AFP02N3-213
2
Alpha Industries, Inc. [781] 935-5150
Fax [617] 824-4579 Email sales@alphaind.com www.alphaind.com
Specifications subject to change without notice. 6/99A
Low Noise Packaged PHEMT Chips
AFP02N3-212, AFP02N3-213
0
4
8
12
16
20
0
4
8
121620
24
28
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
NF
MIN
(dB)
G
A (dB)
Frequency (GHz)
RF Minimum Noise Figure (NFMIN) and
Associated Gain (GA) vs. Frequency (GHz)
VDS = 2 V, IDS = 15 mA
GA (dB)
NFMIN (dB)
60
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
-0.4 V
-0.8 V
-1.2 V
54
48
42
36
30
24
18
12
6
0
VDS (V)
l DS
(mA)
VGS = 0 V
DC Drain Current (IDS) vs. Drain Voltage (VDS)
as a Function of Gate to Source Voltage (VGS)
035
40
0
5
10
15
20
25
30
IDS (mA)
NF
MIN
(dB)
G
A (dB)
RF Minimum Noise Figure (NFMIN) and
Associated Gain (GA) vs. Drain Current (IDS)
F = 12 GHz, VDS = 2 V
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
GA (dB)
NFMIN (dB)
100
0
-1.8
-0.9
0
100
0
60
40
20
80
0.9
gm
(mS)
VGS (V)
l DS
(mA)
VDS = 2 V
DC Drain Current (IDS) and
Transconductance (gm) vs.
Gate to Source Voltage (VGS)
Typical Performance Data
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