2-66 Revision 4 SRAM Characteristics Timing Waveforms Figure 2-50 RAM Read for Flow-Through Output. Appl" />
參數(shù)資料
型號: AFS090-2QNG108I
廠商: Microsemi SoC
文件頁數(shù): 316/334頁
文件大小: 0K
描述: IC FPGA 2MB FLASH 90K 108-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 348
系列: Fusion®
RAM 位總計: 27648
輸入/輸出數(shù): 37
門數(shù): 90000
電源電壓: 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: -40°C ~ 100°C
封裝/外殼: 108-WFQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 108-QFN(8x8)
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Device Architecture
2-66
Revision 4
SRAM Characteristics
Timing Waveforms
Figure 2-50 RAM Read for Flow-Through Output. Applicable to both RAM4K9 and RAM512x18.
Figure 2-51 RAM Read for Pipelined Output. Applicable to both RAM4K9 and RAM512x18.
CLK
[R|W]ADDR
BLK
WEN
DOUT|RD
A0
A1
A2
D0
D1
D2
tCYC
tCKH
tCKL
tAS
tAH
tBKS
tENS
tENH
tDOH1
tBKH
Dn
tCKQ1
CLK
[R|W]ADDR
BLK
WEN
DOUT|RD
A0
A1
A2
D0
D1
tCYC
tCKH
tCKL
tAS tAH
tBKS
tENS
tENH
tDOH2
tCKQ2
tBKH
Dn
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PDF描述
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AFS090-2QNG180I 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 90K 180-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計:36864 輸入/輸出數(shù):157 門數(shù):250000 電源電壓:1.425 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-FPBGA(17x17)
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