2-44 Revision 4 Flash Memory Block Diagram A simplified diagram of the flash memory block is shown in Figure 2-33. The " />
參數(shù)資料
型號(hào)： AFS090-QNG108I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 292/334頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 2MB FLASH 90K 108-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 348
系列： Fusion®
RAM 位總計(jì)： 27648
輸入/輸出數(shù)： 37
門數(shù)： 90000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 100°C
封裝/外殼： 108-WFQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 108-QFN（8x8）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁當(dāng)前第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁第329頁第330頁第331頁第332頁第333頁第334頁
Device Architecture
2-44
Revision 4
Flash Memory Block Diagram
A simplified diagram of the flash memory block is shown in Figure 2-33.
The logic consists of the following sub-blocks:
Flash Array
Contains all stored data. The flash array contains 64 sectors, and each sector contains 33 pages
of data.
Page Buffer
A page-wide volatile register. A page contains 8 blocks of data and an AUX block.
Block Buffer
Contains the contents of the last block accessed. A block contains 128 data bits.
ECC Logic
The FB stores error correction information with each block to perform single-bit error correction and
double-bit error detection on all data blocks.
Figure 2-33 Flash Memory Block Diagram
ADDDR[17:0]
DATAWIDTH[1:0]
REN
READNEXT
PAGESTATUS
WEN
ERASEPAGE
PROGRAM
SPAREPAGE
AUXBLOCK
UNPROTECTPAGE
OVERWRITEPAGE
DISCARDPAGE
OVERWRITEPROTECT
PAGELOSSPROTECT
PIPE
LOCKREQUEST
CLK
RESET
STATUS[1:0]
BUSY
Control
Logic
Output
MUX
Block Buffer
(128 bits)
ECC
Logic
Flash Array = 64 Sectors
RD[31:0]
WD[31 :0]
Page Buffer = 8 Blocks
Plus AUX Block
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
AFS090-QNG180 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 90K 180-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
AFS090-QNG180I 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 90K 180-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):36864 輸入/輸出數(shù):157 門數(shù):250000 電源電壓:1.425 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-FPBGA（17x17）
AFS090-QNG256ES 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs
AFS090-QNG256I 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs
AFS090-QNG256PP 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs
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