型號(hào): | AFT-2061-30F |
元件分類: | 放大器 |
英文描述: | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
文件頁(yè)數(shù): | 16/21頁(yè) |
文件大?。?/td> | 656K |
代理商: | AFT-2061-30F |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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AFT-2061-40F | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
AMT-8034-301 | 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
AMT-8034-401 | 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
AMT-8035-401 | 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
AMT-8035-501 | 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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AFT20P060-4GNR3 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 450mA 2.17GHz 18.9dB 6.3W OM-780G-4L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:2.17GHz 增益:18.9dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:450mA 功率 - 輸出:6.3W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-780G-4L 供應(yīng)商器件封裝:OM-780G-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 |
AFT20P060-4N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
AFT20P060-4NR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 AF1 2GHz 60W OM780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
AFT20P140-4WGNR3 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 17.8dB 24W OM-780G-4L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:1.88GHz ~ 1.91GHz 增益:17.8dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:500mA 功率 - 輸出:24W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-780G-4L 供應(yīng)商器件封裝:OM-780G-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 |
AFT20P140-4WNR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV9 2GHz 24W OM780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |