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參數(shù)資料
| 型號： | AGL600V2-CSG281I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 193/250頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 600K 281-CSP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 184 |
| 系列： | IGLOO |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 13824 |
| RAM 位總計： | 110592 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 215 |
| 門數(shù)： | 600000 |
| 電源電壓： | 1.14 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 281-TFBGA，CSBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 281-CSP（10x10） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁當(dāng)前第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁
IGLOO Low Power Flash FPGAs
Revision 23
2-31
Table 2-33 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings, Std. Speed Grade,
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI (per
standard)
Applicable to Standard I/O Banks
I/O
S
tan
dard
Dr
ive
S
trength)
Eq
uivalen
tSo
ft
ware
Default
Drive
S
trength
Option
1
(mA)
Slew
Rat
e
Ca
p
acitive
Lo
ad
(p
F)
Ex
te
rn
al
R
esi
st
or
(
)
t DO
UT
(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(ns)
t EOUT
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
Unit
s
3.3 V
LVTTL /
3.3 V
LVCMOS
8 mA
8
High
5
–
0.97 1.85 0.18 0.83 0.66 1.89 1.46 1.96 2.26
ns
3.3 V
LVCMOS
Wide
Range2
100 A
8
High
5
–
0.97 2.62 0.18 1.17 0.66 2.63 2.02 2.79 3.17
ns
2.5 V
LVCMOS
8 mA
8
High
5
–
0.97 1.88 0.18 1.04 0.66 1.92 1.63 1.95 2.15
ns
1.8 V
LVCMOS
4 mA
4
High
5
–
0.97 2.18 0.18 0.98 0.66 2.22 1.93 1.97 2.06
ns
1.5 V
LVCMOS
2 mA
2
High
5
–
0.97 2.51 0.18 1.14 0.66 2.56 2.21 1.99 2.03
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD-8B specification.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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