2-24 Revision 17 Table 2-29 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances Minimum and Maximum Weak Pu" />
參數(shù)資料
型號： AGLN060V2-VQG100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 86/150頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP
標準包裝： 90
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數(shù)： 1536
RAM 位總計： 18432
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 60000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -20°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-24
Revision 17
Table 2-29 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances
Minimum and Maximum Weak Pull-Up/Pull-Down Resistance Values
VCCI
R(WEAK PULL-UP)1 ()R(WEAK PULL-DOWN)2 ()
Min.
Max.
Min.
Max.
3.3 V
10 K
45 K
10 K
45 K
3.3 V (wide range I/Os)
10 K
45 K
10 K
45 K
2.5 V
11 K
55 K
12 K
74 K
1.8 V
18 K
70 K
17 K
110 K
1.5 V
19 K
90 K
19 K
140 K
1.2 V
25 K
110 K
25 K
150 K
1.2 V (wide range I/Os)
19 K
110 K
19 K
150 K
Notes:
1. R(WEAK PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / I(WEAK PULL-UP-MIN)
2. R(WEAK PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / I(WEAK PULL-DOWN-MIN)
Table 2-30 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Drive Strength
IOSL (mA)*
IOSH (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
25
27
4 mA
25
27
6 mA
51
54
8 mA
51
54
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as equivalent software default drive
2.5 V LVCMOS
2 mA
16
18
4 mA
16
18
6 mA
32
37
8 mA
32
37
1.8 V LVCMOS
2 mA
9
11
4 mA
17
22
1.5 V LVCMOS
2 mA
13
16
1.2 V LVCMOS
1 mA
10
13
1.2 V LVCMOS Wide Range
100 A
10
13
Note: *TJ = 100°C
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PDF描述
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