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參數(shù)資料
| 型號： | AGR09045EU |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | AGR09045EU |
45 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09045E
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
865 (f1)
0.479 + j0.043
3.12 + j0.070
880 (f2)
0.529 + j0.072
3.20 + j0.316
895 (f3)
0.553 + j0.101
3.32 + j0.590
0.1
0.
1
0.2
0.
2
0.3
0.
3
0.4
0.
4
0.
5
0.
5
0.
6
0.
6
0.
7
0.
7
0.
8
0.
8
0.
9
0.
9
1.
0
1.
0
1.
2
1.
2
1.
4
1.
4
1.
6
1.
8
2.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1.
0
1.
0
70
80
90
100
110
120
13
0
14
0
15
0
16
0
-1
60
17
0
-1
70
18
0
±
90
-9
0
85
-8
5
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
0.
04
0.
05
0.
06
0.0
7
0.0
8
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.4
2
0.4
3
0.
44
0.
45
0.
46
0.
47
.4
7
0.
48
0.
48
0.
49
0.
49
0.
0
0.
0
—
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
G
E
N
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R
A
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—
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W
A
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E
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A
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IN
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U
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T
IV
E
R
E
A
C
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A
N
C
E
C
O
M
PO
N
EN
T
(+
jX
/ Z
o)
, O
R
CA
PA
CI
TI
V E
SU
SC
EP
TA
N C
E (+
jB/ Y
o)
PT
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o)
R E SIST A N C E C OM PON E N T (R / Z o), OR C ON DU C T A N C E C OM PON E N T (G / Y o)
Z0 = 7
ZL
f1
f3
f1
f3
ZS
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19090EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19090EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19125EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AGR09045WEF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR09070EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR09085E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09085EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR09085EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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