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參數(shù)資料
| 型號： | AGR09085EF |
| 廠商： | LSI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | FM-2 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | AGR09085EF |
Agere Systems Inc.
7
Preliminary Data Sheet
AGR09085E
May 2004
85 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 0.8 A, TC = 30 °C.
FREQUENCY 1 = 880.0 MHz; FREQUENCY 2 = 880.1 MHz.
Figure 8. 2-Tone IMD vs. POUT
-60.00
-50.00
-40.00
-30.00
-20.00
-10.00
0.00
20.00
40.00
60.00
80.00 100.00 120.00 140.00 160.00
POUT (WPEP)Z
IMD
(dBc)
Z
IM3+/-
IM5+/-
IM7+/-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09085EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09085EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09085EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGR09085EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09090EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR09130E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09130EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR09130EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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