參數(shù)資料
型號： AGR09130EU
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 197K
代理商： AGR09130EU
6
Agere Systems Inc.
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR09130E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 26 V, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C, FORMAT = CW.
Figure 6. Power Gain and Drain Efficiency vs. Power Out
TEST CONDITIONS:
VDD = 26 V, IDQ = 1.0 A, PO = 50 W, TF = 30 °C, EDGE FORMAT = 3GPP GSM 05.05.
Figure 7. ACP, Power Gain, and Efficiency vs. Frequency
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
0
50
100
150
200
POWER OUT (POUT) (W)Z
POWER
GAIN
(P
G
)(dB)
Z
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DRAIN
EFFICIENCY
(Eff)
(%)
Z
PG
Eff
960 MHz
920 MHz
960 MHz
940 MHz
920 MHz
940 MHz
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
920
925
930
935
940
945
950
955
960
FREQUENCY (MHz)Z
MODULATION
SPECTRUM
(dBc)
Z
0
5
10
15
20
25
30
35
40
POWER
GAIN
(dB)
AND
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Z
Eff
PG
+/- 400 kHz
+/- 600 kHz
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相關PDF資料
PDF描述
AGR09130EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09130EF UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09130EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09180EF 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR09180EF 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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AGR1000 功能描述:可復位保險絲 10/9.6A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGR1100 功能描述:可復位保險絲 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGR1100-0.16 功能描述:可復位保險絲 AGR1100-0.16 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGR1100C 功能描述:可復位保險絲 AGR1100C RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
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