參數(shù)資料
型號(hào)： AGR18060EU
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 397K
代理商： AGR18060EU
60 W, 1805 MHz—1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor
E
0
6
0
8
1
R
G
A
Typical Performance Characteristics (continued)
VDD = 26 V, IDQ = 500 mA, FREQUENCY = 1842.5 MHz, EDGE MODULATION.
Figure 11. Power Gain, IRL, IMD, and Efficiency Versus Supply Voltage
VDD = 26 V, IDQ = 500 mA, FREQUENCY = 1842.5 MHz, EDGE MODULATION.
Figure 12. Gain, Efficiency, IRL, and Spectral Regrowth Versus Output Power
0.00
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
40.00
45.00
50.00
1.00
10.00
100.00
POUT, OUTPUT POWER (WATTS)Z
G
PS
,P
OW
ER
GA
IN
(d
B),
Z
DR
AI
N
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FI
CI
EN
CY
(%
)Z
-90.0
-80.0
-70.0
-60.0
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-30.0
-20.0
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0.0
IR
L,
IN
PU
T
RE
TU
RN
LO
SS
(d
B),
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SP
EC
TR
AL
RE
GR
OW
TH
(d
Bc
)Z
IRL
EFFICIENCY
400 kHz
600 kHz
GPS
0.00
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
40.00
45.00
50.00
0.00
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10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
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POUT, OUTPUT POWER (WATTS)Z
G
PS
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OW
ER
GA
IN
(d
B),
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DR
AI
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EN
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EV
M
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OR
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NI
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S
(%
)Z
EVM
GPS
EFFICIENCY
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PDF描述
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AGR18125EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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AGR18090EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
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