參數(shù)資料
型號(hào)： AGR19125EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 366K
代理商： AGR19125EF
E
5
2
1
9
1
R
G
A
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, F = 1960 MHz.
Figure 4. Output Power and Efficiency vs. Input Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 1960 MHz, CW MEASUREMENT.
Figure 5. Power Gain vs. Output Power
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
120.0
140.0
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
PIN, INPUT POWER (W)S
PO
UT
,O
UT
PU
T
PO
W
ER
(W
),
EF
FI
CI
EN
CY
(%
)S
-30.0
-25.0
-20.0
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
IR
L,
IN
PU
T
RE
TU
RN
LO
SS
(d
B)
S
POUT
EFFICIENCY
IRL
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
1.00
10.00
100.00
1000.00
POUT, OUTPUT POWER (W)S
Gp
s,
PO
W
ER
GA
IN
(d
B)
S
IDQ = 1500 mA
IDQ = 900 mA
IDQ = 1250 mA
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PDF描述
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AGR19180EF 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19180EF 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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