參數(shù)資料
型號： AGR19180EF
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-4
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： AGR19180EF
Agere Systems Inc.
7
Preliminary Data Sheet
AGR19180EF
April 2004
180 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 6. Intermodulation Distortion versus Output Power
Figure 7. Pulsed CW Output Power versus Input Power
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
1
10
100
1000
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IM
D
,
IN
T
E
R
M
O
DUL
AT
IO
N
DI
ST
O
R
T
ION
(
d
B
c)
Vdd = 28V Idq = 1600mA
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Measurement, 100kHz Tone Spacing
3rd Order
5th Order
7th Order
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
Pin, INPUT POWER (dBm)
P
o
ut
,O
U
T
P
U
T
P
O
W
E
R
(
d
B
m
)
Vdd = 28 Vdc, Idq = 1600 mA
Pulsed CW 4 msec (on), 40 msec (off)
Center Frequency = 1960 MHz
P1dB = 53 dBm (199.77W)
P3dB = 53.88 dBm (244.34W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR19180EF 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21030EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21030EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21045EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21090EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AGR19K180EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21030EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21060EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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