參數資料
型號： AGR19180EU
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁數： 4/9頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： AGR19180EU
4
Agere Systems Inc.
180 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
July 2003
AGR19180E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
ZS = Test circuit impedance as measured from gate to gate, balanced configuration.
ZL = Test circuit impedance as measured from drain to drain, balanced configuration.
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
1930 (f1)
2.58 – j5.9
3.2 – j4.67
1960 (f2)
2.36 – j5.26
2.85 – j3.86
1990 (f3)
2.37 – j4.51
2.72 – j3.07
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
.7
0.7
0
.8
0.8
0
.9
0.9
1.0
1
.2
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180±
90
-90
-8
5
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.0
4
0.05
0.0
6
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.1
8
0.1
9
0.2
1
0
.2
2
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0.2
8
0.2
9
0.3
1
0.3
2
0.33
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.4
2
0.43
0.4
4
0.45
0.4
6
0.4
7
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
E
O
F
T
R
A
N
S
M
IS
S
IO
N
C
O
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F
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T
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D
E
G
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>
W
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W
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T
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E
SU
SC
E
P
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
ZL
f3
f1
ZS
f3
f1
Z0 = 10
DUT
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
–
+
ZS
ZL
+
–
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
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