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參數(shù)資料
| 型號： | AGR21125EU |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | AGR21125EU |
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21125E
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics
12
12.5
13
13.5
14
14.5
0
10
20
30
40
50
INPUT POWER PIN (dBm)
PO
W
ER
G
AI
N(
dB
)
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
PH
AS
E(
DE
GR
EE
S)
AM-AM
(POWER GAIN [dB])
AM-PM
(PHASE [DEGREES])
VDD = 28 Vdc
FO = 2140 MHz
IDQ = 1200 mA
CW INPUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AGR26045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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| AGR26125EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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