參數(shù)資料
型號(hào)： ALD1117SA
廠商： Advanced Linear Devices, Inc.
英文描述： QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY
中文描述： 四/雙P溝道MOSFET的陣列匹配
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： ALD1117SA
ALD1107/ALD1117
Advanced Linear Devices
2
Gate Threshold
Voltage
V
T
-0.4
-0.7
-1.0
-0.4
-0.7
-1.0
V
I
DS
= -1.0
μ
A V
GS
= V
DS
Offset Voltage
V
GS1
-V
GS2
V
OS
2
10
2
10
mV
I
DS
= -10
μ
A V
GS
= V
DS
Gate Threshold
Temperature
Drift
2
TC
VT
-1.3
-1.3
mV/
°
C
On Drain
Current
I
DS (ON)
-1.3
-2
-1.3
-2
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
Transconductance
G
IS
0.25
0.67
0.25
0.67
mmho V
DS
= -5V I
DS
= -10mA
Mismatch
G
fs
0.5
0.5
%
Output
Conductance
G
OS
40
40
μ
mho
V
DS
= -5V I
DS
= -10mA
Drain Source R
DS (ON)
On Resistance
1200
1800
1200
1800
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
Drain Source
On Resistance
Mismatch
R
DS (ON)
0.5
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
Drain Source
Breakdown
Voltage
BV
DSS
-12
-12
V
I
DS
= -1.0
μ
A V
GS
= 0V
Off Drain
Current
1
I
DS (OFF)
10
400
10
400
pA
nA
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125
°
C
4
4
Gate Leakage
Current
I
GSS
0.1
10
1
0.1
10
1
pA
nA
V
DS
= 0V V
GS
= -12V
T
A
= 125
°
C
Input
Capacitance
2
C
ISS
1
3
1
3
pF
OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
A
= 25
°
C unless otherwise specified
ALD1107
Typ
ALD1117
Typ
Test
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Conditions
Notes:
1
Consists of junction leakage currents
2
Sample tested parameters
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-source voltage, V
DS
Gate-source voltage, V
GS
Power dissipation
Operating temperature range
-13.2V
-13.2V
500 mW
0
°
C to +70
°
C
-55
°
C to +125
°
C
-65
°
C to +150
°
C
+260
°
C
PA, SA, PB, SB package
DA, DB package
Storage temperature range
Lead temperature, 10 seconds
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ALD1117PA QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY
ALD1801BDC 8 BIT MICROPOWER MULTIPLYING D/A CONVERTER
ALD1801BPC 8 BIT MICROPOWER MULTIPLYING D/A CONVERTER
ALD1801BSC 8 BIT MICROPOWER MULTIPLYING D/A CONVERTER
ALD1801DC 8 BIT MICROPOWER MULTIPLYING D/A CONVERTER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ALD1117SAL 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ALD111910MAL 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ALD111910PAL 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ALD111910SAL 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ALD111933 制造商:ALD 制造商全稱:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*