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參數資料
| 型號： | AM28F010-120EC |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數： | 32/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | AM28F010-120EC |
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32
Am28F010
PHYSICAL DIMENSIONS
PD032—32-Pin Plastic DIP (measured in inches)
PL032—32-Pin Plastic Leaded Chip Carrier (measured in inches)
Pin 1 I.D.
1.640
1.670
.530
.580
.005 MIN
.045
.065
.090
.110
.140
.225
.120
.160
.016
.022
SEATING PLANE
.015
.060
16-038-S_AG
PD 032
EC75
5-28-97 lv
32
17
16
.630
.700
0
°
10
°
.600
.625
.009
.015
.050 REF.
.026
.032
TOP VIEW
Pin 1 I.D.
.485
.495
.447
.453
.585
.595
.547
.553
16-038FPO-5
PL 032
DA79
6-28-94 ae
SIDE VIEW
SEATING
PLANE
.125
.140
.009
.015
.080
.095
.042
.056
.013
.021
.400
REF.
.490
.530
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F010-120ECB | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120EE | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120EEB | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120EI | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120EIB | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AM28F010-120ECB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120EE | 制造商: 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| AM28F010-120EEB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM28F010-120EIB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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