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參數(shù)資料
| 型號： | AM28F010-120JC |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 13/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | AM28F010-120JC |
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Am28F010
13
Figure 1.
Flasherase
Electrical Erase Algorithm
Start
Program All Bytes to 00h
Apply V
PPH
Address = 00h
PLSCNT = 0
Write Erase Setup Command
Write Erase Command
Time out 10 ms
Write Erase Verify
Time out 6 μs
Read Data from Device
Data = FFh
Last Address
Write Reset Command
Apply V
PPL
Erasure Completed
PLSCNT =
1000
Increment Address
Apply V
PPL
Erase Error
No
Yes
No
11559G-6
Yes
Yes
Yes
No
No
Increment
PLSCNT
Data = 00h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F010-120JCB | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120JE | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F010-120JIB | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AM28F010-120JCB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120JE | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120JEB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120JI | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-120JIB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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