- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366378 > AM28F010-200FIB (ADVANCED MICRO DEVICES INC) 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM28F010-200FIB |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 200 ns, PDSO32 |
| 封裝： | REVERSE, TSOP-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/35頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | AM28F010-200FIB |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)當(dāng)前第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)
Am28F010
25
Figure 5.
Am28F010—Average I
CC
Active vs. Frequency
V
CC
= 5.5 V, Addressing Pattern = Minmax
Data Pattern = Checkerboar
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
I
C
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Frequency in MHz
11559G-13
55
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
125
°
C
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
11559H-14
Figure 6.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-70
All others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
≤
10
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F010-200JC | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JCB | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JE | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JEB | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JI | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM28F010-200JC | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JCB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JE | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JEB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F010-200JI | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。