參數(shù)資料
型號(hào)： AM28F010-200PEB
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： PROM
英文描述： 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
中文描述： 128K X 8 FLASH 12V PROM, 200 ns, PDIP32
封裝： PLASTIC, DIP-32
文件頁(yè)數(shù)： 26/35頁(yè)
文件大?。?/td> 492K
代理商： AM28F010-200PEB
26
Am28F010
SWITCHING TEST WAVEFORMS
SWITCHING CHARACTERISTICS over operating range unless otherwise specified
AC Characteristics—Read Only Operation
Notes:
1. Guaranteed by design; not tested.
2. Not 100% tested.
Parameter
Symbols
Am28F010 Speed Options
JEDEC
Standard Parameter Description
-70
-90
-120
-150
-200
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 2)
Min
70
90
120
150
200
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable AccessTime
Max
70
90
120
150
200
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Access Time
Max
70
90
120
150
200
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Access Time
Max
35
35
50
55
55
ns
t
ELQX
t
LZ
Chip Enable to Output in Low Z (Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Disable to Output in High Z (Note 1)
Max
20
20
30
35
35
ns
t
GLQX
t
OLZ
Output Enable to Output in Low Z (Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Disable to Output in High Z (Note 2)
Max
20
20
30
35
35
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold from first of Address, CE#, or
OE# Change (Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
WHGL
Write Recovery Time before Read
Min
6
6
6
6
6
μs
t
VCS
V
CC
Setup Time to Valid Read (Note 2)
Min
50
50
50
50
50
μs
11559H-15
3 V
0 V
Input
Output
1.5 V
1.5 V
Test Points
AC Testing for -70 devices: Inputs are driven at 3.0 V for a
logic “1” and 0 V for a logic “0”. Input pulse rise and fall times
are
≤
10 ns.
2.4 V
0.45 V
Input
Output
Test Points
2.0 V
2.0 V
0.8 V
0.8 V
AC Testing (all speed options except -70): Inputs are driven at
2.4 V for a logic “1” and 0.45 V for a logic “0”. Input pulse rise
and fall times are
≤
10 ns.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM28F010-200PI 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-200PIB 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-70EC 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-70ECB 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-70EE 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
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參數(shù)描述
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AM28F010-200PIB 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-250C3/BUA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
AM28F010-250C3/BXA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
AM28F010-70EC 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
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