參數(shù)資料
型號(hào)： AM28F010-90JC
廠(chǎng)商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
中文描述： 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PQCC32
封裝： PLASTIC, LCC-32
文件頁(yè)數(shù)： 26/35頁(yè)
文件大小： 492K
代理商： AM28F010-90JC
26
Am28F010
SWITCHING TEST WAVEFORMS
SWITCHING CHARACTERISTICS over operating range unless otherwise specified
AC Characteristics—Read Only Operation
Notes:
1. Guaranteed by design; not tested.
2. Not 100% tested.
Parameter
Symbols
Am28F010 Speed Options
JEDEC
Standard Parameter Description
-70
-90
-120
-150
-200
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 2)
Min
70
90
120
150
200
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable AccessTime
Max
70
90
120
150
200
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Access Time
Max
70
90
120
150
200
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Access Time
Max
35
35
50
55
55
ns
t
ELQX
t
LZ
Chip Enable to Output in Low Z (Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Disable to Output in High Z (Note 1)
Max
20
20
30
35
35
ns
t
GLQX
t
OLZ
Output Enable to Output in Low Z (Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Disable to Output in High Z (Note 2)
Max
20
20
30
35
35
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold from first of Address, CE#, or
OE# Change (Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
WHGL
Write Recovery Time before Read
Min
6
6
6
6
6
μs
t
VCS
V
CC
Setup Time to Valid Read (Note 2)
Min
50
50
50
50
50
μs
11559H-15
3 V
0 V
Input
Output
1.5 V
1.5 V
Test Points
AC Testing for -70 devices: Inputs are driven at 3.0 V for a
logic “1” and 0 V for a logic “0”. Input pulse rise and fall times
are
≤
10 ns.
2.4 V
0.45 V
Input
Output
Test Points
2.0 V
2.0 V
0.8 V
0.8 V
AC Testing (all speed options except -70): Inputs are driven at
2.4 V for a logic “1” and 0.45 V for a logic “0”. Input pulse rise
and fall times are
≤
10 ns.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM28F010-90JCB 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JE 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JEB 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JI 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JIB 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM28F010-90JCB 制造商:AMD 制造商全稱(chēng):Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JE 制造商:AMD 制造商全稱(chēng):Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JEB 制造商:AMD 制造商全稱(chēng):Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JI 制造商:AMD 制造商全稱(chēng):Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F010-90JIB 制造商:AMD 制造商全稱(chēng):Advanced Micro Devices 功能描述:1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*