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參數(shù)資料
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Am28F020
Figure 3.
Flashrite
Programming Algorithm
Start
Apply V
PPH
PLSCNT = 0
Write Program Setup Command
Write Program Command (A/D)
Time out 10 μs
Write Program Verify Command
Time out 6 μs
Read Data from Device
Last Address
Write Reset Command
Apply V
PPL
Programming Completed
PLSCNT =
25
Increment Address
Apply V
PPL
Device Failed
No
11559G-8
Yes
Yes
No
No
Verify Byte
Increment PLSCNT
Yes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F020-70PCB | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-70PE | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-70PEB | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-70PI | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-70PIB | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM28F020-200PCB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-200PE | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-200PEB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-200PI | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F020-200PIB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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