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參數(shù)資料
| 型號： | AM28F256-150PEB |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | Voltage-controlled oscillator 14-SOIC 0 to 70 |
| 中文描述： | 32K X 8 FLASH 12V PROM, 150 ns, PDIP32 |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 25/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 493K |
| 代理商： | AM28F256-150PEB |
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Am28F256
25
Figure 5.
Am28F256—Average I
CC
Active vs. Frequency
V
CC
= 5.5 V, Addressing Pattern = Minmax
Data Pattern = Checkerboard
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
I
CC
Active
in mA
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Frequency in MHz
11560F-13
55
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
125
°
C
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
11560G-14
Figure 6.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-70
All others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
≤
10
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F256-150PI | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-150PIB | Voltage-controlled oscillator 14-PDIP 0 to 70 |
| AM28F256-200EC | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200ECB | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200EE | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM28F256-150PI | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-150PIB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200C3/BUA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| AM28F256-200C3/BXA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| AM28F256-200C3JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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