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參數(shù)資料
| 型號： | AM28F256-200EE |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 32K X 8 FLASH 12V PROM, 200 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 12/35頁 |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | AM28F256-200EE |
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12
Am28F256
Figure 1.
Flasherase
Electrical Erase Algorithm
Start
Program All Bytes to 00h
Apply V
PPH
Address = 00h
PLSCNT = 0
Write Erase Setup Command
Write Erase Command
Time out 10 ms
Write Erase Verify
Time out 6 μs
Read Data from Device
Data = FFh
Last Address
Write Reset Command
Apply V
PPL
Erasure Completed
PLSCNT =
1000
Increment Address
Apply V
PPL
Erase Error
No
Yes
No
11559G-6
Yes
Yes
Yes
No
No
Increment
PLSCNT
Data = 00h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F256-200EEB | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200EI | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200EIB | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200FC | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200FCB | Voltage-controlled oscillator 14-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM28F256-200EEB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200EI | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200EIB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200FC | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-200FCB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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