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參數(shù)資料
| 型號： | AM28F256-70EIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 256千比特（32畝× 8位）的CMOS 12.0伏，整體擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/35頁 |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | AM28F256-70EIB |
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26
Am28F256
SWITCHING TEST WAVEFORMS
SWITCHING CHARACTERISTICS over operating range unless otherwise specified
AC Characteristics—Read Only Operation
Notes:
1. Guaranteed by design not tested.
2. Not 100% tested.
Parameter Symbols
Parameter Description
Am28F256 Speed Options
Unit
JEDEC
Standard
-70
-90
-120
-150
-200
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 2)
Min
70
90
120
150
200
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable AccessTime
Max
70
90
120
150
200
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Access Time
Max
70
90
120
150
200
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Access Time
Max
35
35
50
55
55
ns
t
ELQX
t
LZ
Chip Enable to Output in Low Z
(Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Disable to Output in High Z
(Note 1)
Max
20
20
30
35
35
ns
t
GLQX
t
OLZ
Output Enable to Output in Low Z
(Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Disable to Output in High Z
(Note 2)
Max
20
20
30
35
35
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold from first of Address,
CE#, or OE# Change (Note 2)
Min
0
0
0
0
0
ns
t
WHGL
Write Recovery Time before Read
Min
6
6
6
6
6
μs
t
VCS
V
CC
Setup Time to Valid Read
(Note 2)
Min
50
50
50
50
50
μs
11560G-15
3 V
0 V
Input
Output
1.5 V
1.5 V
Test Points
AC Testing for -70 devices: Inputs are driven at 3.0 V for a
logic “1” and 0 V for a logic “0”. Input pulse rise and fall times
are
≤
10 ns.
2.4 V
0.45 V
Input
Output
Test Points
2.0 V
2.0 V
0.8 V
0.8 V
AC Testing (all speed options except -70): Inputs are driven at
2.4 V for a logic “1” and 0.45 V for a logic “0”. Input pulse rise
and fall times are
≤
10 ns.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F256-70FC | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FCB | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FE | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FEB | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FI | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM28F256-70FC | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FCB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FE | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FEB | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| AM28F256-70FI | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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