參數(shù)資料
型號(hào)： AM28F512A-120ECB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms
中文描述： 512千比特（64畝× 8位）的CMOS 12.0伏，整體擦除閃存的嵌入式記憶算法
文件頁(yè)數(shù)： 30/34頁(yè)
文件大?。?/td> 463K
代理商： AM28F512A-120ECB
Am28F512A
30
SWITCHING WAVEFORMS
t
VPEL
t
WC
Data
#
Polling
PA
DQ7
#
D
IN
t
AS
t
AH
t
GHEL
t
DH
t
CPH
t
EHEH3 OR 4
t
WS
t
DS
t
CP
Embedded
Program Setup
Embedded
Program
PA
D
OUT
DQ7
#
18880C-21
Notes:
1. D
IN
is data input to the device.
2. DQ7
#
is the complement of the data written to the device.
3. D
OUT
is the data written to the device.
Figure 12.
AC Waveforms for Embedded Programming Operation Using CE
#
Controlled Writes
Addresses
CE
#
OE
#
WE#
Data
V
CC
V
PP
50h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM28F512A-120EEB 512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms
AM28F512A-120EIB 512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms
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