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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BL802CB-90R |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（512畝× 16位）的CMOS 3.0伏特，只有突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 39/46頁 |
| 文件大小： | 466K |
| 代理商： | AM29BL802CB-90R |
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November 3, 2006 22371C7
Am29BL802C
37
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 22.
DQ2 vs. DQ6 for Erase and Erase Suspend Operations
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
Figure 23.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV652DU12RMAI | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO Control |
| AM29LV652DU12RMAK | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO Control |
| AM29LV652D | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO Control |
| AM29LV652DU12RMAE | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO Control |
| AM29LV652DU12RMAF | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO Control |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29C116-1JC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| AM29C116-2JC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:AMD 功能描述: |
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