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參數(shù)資料
| 型號： | AM29DL320GT120WMIN |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 33/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1230K |
| 代理商： | AM29DL320GT120WMIN |
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July 31, 2002
Am29DL320G
39
ADV ANC E
INFO RMAT ION
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
70
90
120
Unit
t
ELFL/tELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
16
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
90
120
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ7–DQ0)
CE#
OE#
BYTE#
tELFL
DQ14–DQ0
Data Output
(DQ14–DQ0)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ7–DQ0)
BYTE#
t
ELFH
DQ14–DQ0
Data Output
(DQ14–DQ0)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 15.
BYTE# Timings for Read Operations
Note: Refer to the Erase/Program Operations table for tAS and tAH specifications.
Figure 16.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
tHOLD (tAH)
t
SET
(t
AS)
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