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參數(shù)資料
| 型號： | AM29DL800BT90EK |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），3.0伏的CMOS只，同時(shí)作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 38/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 725K |
| 代理商： | AM29DL800BT90EK |
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36
Am29DL800B
21519C4 December 4, 2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
t
RRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for
Temporary Sector Unprotect
Min
4
μs
RESET#
t
VIDR
12 V
0 V or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 V or 3 V
t
RRB
Figure 23. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
Sector Protect: 150 μs
Sector Unprotect: 15 ms
1 μs
RESET#
SA, A6,
A1, A0
Data
CE#
WE#
OE#
60h
60h
40h
Valid*
Valid*
Valid*
Status
Sector Protect/Unprotect
Verify
V
ID
V
IH
* For sector protect, A6 = 0, A1 = 1, A0 = 0. For sector unprotect, A6 = 1, A1 = 1, A0 = 0.
Figure 24. Sector Protect/Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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