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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29DL800BT90WBD |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），3.0伏的CMOS只，同時(shí)作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 36/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 725K |
| 代理商： | AM29DL800BT90WBD |
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34
Am29DL800B
21519C4 December 4, 2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
WE#
Addresses
t
OH
Data
Valid
In
Valid
In
Valid PA
Valid RA
t
WC
t
WPH
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
RC
t
CE
Valid
Out
t
OE
t
ACC
t
OEH
t
GHWL
t
DF
Valid
In
CE# Controlled Write Cycles
WE# Controlled Write Cycle
Valid PA
Valid PA
t
CP
t
CPH
t
WC
t
WC
Read Cycle
t
SR/W
Figure 19. Back-to-Back Read/Write Cycle Timings
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data
read cycle.
Figure 20. Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
RY/BY#
t
BUSY
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
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PDF描述 |
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