- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄352495 > AM29DS323DB110WMIN (Advanced Micro Devices, Inc.) 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AM29DS323DB110WMIN |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個M × 8位/ 2米x 16位），1.8伏的CMOS只，同時作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 27/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 1013K |
| 代理商： | AM29DS323DB110WMIN |
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32
Am29DS323D
P R E L I M I NARY
Table 15.
Write Operation Status
Notes:
1. DQ5 switches to ‘1’ when an Embedded Program or Embedded Erase operation has exceeded the maximum timing limits.
Refer to the section on DQ5 for more information.
2. DQ7 and DQ2 require a valid address when reading status information. Refer to the appropriate subsection for further
details.
3. When reading write operation status bits, the system must always provide the bank address where the Embedded Algorithm
is in progress. The device outputs array data if the system addresses a non-busy bank.
Status
DQ7
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
RY/BY#
Standard
Mode
Embedded Program Algorithm
DQ7#
Toggle
0
N/A
No toggle
0
Embedded Erase Algorithm
0
Toggle
0
1
Toggle
0
Erase
Suspend
Mode
Erase-Suspend-
Read
Erase
Suspended Sector
1
No toggle
0
N/A
Toggle
1
Non-Erase
Suspended Sector
Data
1
Erase-Suspend-Program
DQ7#
Toggle
0
N/A
0
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PDF描述 |
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