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參數(shù)資料
| 型號： | AM29DS323DB120EIN |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個M × 8位/ 2米x 16位），1.8伏的CMOS只，同時作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 44/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 1013K |
| 代理商： | AM29DS323DB120EIN |
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48
Am29DS323D
P R E L I M I NARY
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
110
120
JEDEC
Std
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
110
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
Byte
Typ
9
s
Word
Typ
13
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
7
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
2
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29DS323DB120WMI | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DS323DB120WMIN | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DS323DT110WMIN | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DS323DT120WMIN | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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