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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F002NBT-90EI |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 32/39頁 |
| 文件大小： | 728K |
| 代理商： | AM29F002NBT-90EI |
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32
Am29F002B/Am29F002NB
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
-55
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
30
35
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F002NBT-90JC | x8 Flash EEPROM |
| AM29F002NBT-90JE | -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF6217 with Lead Free Packaging |
| AM29F002NBT-90JI | x8 Flash EEPROM |
| AM29F002NBT-90PC | x8 Flash EEPROM |
| AM29F002NBT-90PE | -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRF5305L with Standard Packaging |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F002NBT-90JD | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEM PARALLEL 5V 2M-BIT 256K X 8 90NS 32-PIN PLCC - Rail/Tube |
| AM29F002NBT-90JF | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29F002NT-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| AM29F002T-120JI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 32 Pin, Plastic, PLCC |
| AM29F002T-55JC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
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