參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F016B-150E4EB
英文描述： 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR3103 with Standard Packaging
中文描述： EEPROM的
文件頁數(shù)： 29/39頁
文件大小： 728K
代理商： AM29F016B-150E4EB
Am29F002B/Am29F002NB
29
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (
”see “Write Operation Status”).
Figure 12.
Chip/Sector Erase Operation Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F016B-150E4I x8 Flash EEPROM
AM29F016B-150EC x8 Flash EEPROM
AM29F016B-150EE x8 Flash EEPROM
AM29F016B-150EEB EEPROM
AM29F016B-150EI x8 Flash EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AM29F016B-90EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 90ns 48-Pin TSOP 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 16M-Bit 2M x 8 90ns 48-Pin TSOP
AM29F016B-90SC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 16M-Bit 2M x 8 90ns 44-Pin SOP
AM29F016D-120DPC 1 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 120ns Die
AM29F016D-120DPI 1 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 120ns Die
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