參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F016B-150EI
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁(yè)數(shù)： 31/39頁(yè)
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代理商： AM29F016B-150EI
Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F016B-150F4C x8 Flash EEPROM
AM29F016B-150F4E A 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ST package rated at 55 amperes optimized with low on resistance for applications such as active OR'ing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.; A IRF6614 with Standard Tape and Reel Quantity of 4800
AM29F016B-150F4EB EEPROM
AM29F016B-150F4I x8 Flash EEPROM
AM29F016B-150FC 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRFZ44VZS with Standard Packaging
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F016B90EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F016B-90EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 90ns 48-Pin TSOP 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 16M-Bit 2M x 8 90ns 48-Pin TSOP
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AM29F016D-120DPI 1 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 120ns Die
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