參數(shù)資料
型號： AM29F016B-75EIB
英文描述： 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRFZ46N with Standard Packaging
中文描述： EEPROM的
文件頁數(shù)： 35/39頁
文件大小： 728K
代理商： AM29F016B-75EIB
Am29F002B/Am29F002NB
35
PLCC AND PDIP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
4
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
12
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
相關PDF資料
PDF描述
AM29F016B-75F4C x8 Flash EEPROM
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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