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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F016B-90EC |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 33/39頁 |
| 文件大小： | 728K |
| 代理商： | AM29F016B-90EC |
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Am29F002B/Am29F002NB
33
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DQ7# = complement of data written to device, D
OUT
= data written to device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Figure 17.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F016B-90EE | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRFB3306PBF with Standard Packaging |
| AM29F016D-120DWC1 | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; A IRFU3505 with Standard Packaging |
| AM29F016D-120DWI1 | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; Similar to IRFU3505 with Lead Free Packaging |
| AM29F017B-120E4C | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; Similar to IRF3709ZS with Lead Free Packaging |
| AM29F017B-120E4E | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F016B-90SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 16M-Bit 2M x 8 90ns 44-Pin SOP |
| AM29F016D-120DPC 1 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 120ns Die |
| AM29F016D-120DPI 1 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 120ns Die |
| AM29F016D-120E4D | 制造商:Spansion 功能描述:IC SM FLASH 5V 16MB |
| AM29F016D-120E4D | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY IC |
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