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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29F016D-120E4IB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/45頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1145K |
| 代理商： | AM29F016D-120E4IB |
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34
Am29F016D
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
Note:
The system may use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within the erase-suspended
sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Group Unprotect Timings
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PDF描述 |
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