參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F016D-120F4I
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： PROM
英文描述： LM135/LM235/LM335, LM135A/LM235A/LM335A Precision Temperature Sensors; Package: TO-92; No of Pins: 3; Qty per Container: 1800; Container: Box
中文描述： 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40
封裝： REVERSE, MO-142CD, TSOP-40
文件頁(yè)數(shù)： 31/45頁(yè)
文件大?。?/td> 1145K
代理商： AM29F016D-120F4I
30
Am29F016D
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Parameter Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-70
-90
-120
-150
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
40
45
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
(OE# high to WE# low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
40
45
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
Max
8
sec
t
VCS
V
CC
Set Up Time (Note 1)
Min
50
μs
t
BUSY
WE# to RY/BY# Valid
Min
40
40
50
60
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F016D-120FC LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V Reference Diode; ; Container: Wafer Jar
AM29F016D-120FE 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
Am29F016D-120FEB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016D-120FI LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V Reference Diode; Package: SOIC NARROW; No of Pins: 8; Qty per Container: 95; Container: Rail
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參數(shù)描述
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