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參數資料
| 型號： | Am29F016D-70E4CB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數： | 33/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1145K |
| 代理商： | AM29F016D-70E4CB |
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32
Am29F016D
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
Note:
SA = Sector Address. VA = Valid Address for reading status data.
Figure 12.
Chip/Sector Erase Operation Timings
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29F016D-120E4CB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-150E4CB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-70E4IB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-120E4IB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-150E4IB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AM29F016D-70E4D | 制造商:SOCO 功能描述: |
| AM29F016D-70E4F | 功能描述:閃存 16M (2MX8) 70ns 5v Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AM29F016D-70EF | 功能描述:閃存 16M (2MX8) 70ns 5v Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AM29F016D-70EI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 70ns 48-Pin TSOP |
| AM29F016D70FI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 70ns 48-Pin RTSOP |
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